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    1000A/3500V第三代功率半導體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)

    產(chǎn)品品牌

    普賽斯儀表

    庫       存:

    1000

    產(chǎn)       地:

    中國-湖北省

    數(shù)       量:

    減少 增加

    價       格:

    1000.00
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    品牌:普賽斯儀表

    型號:

    所屬系列:半導體測試設備耗材-電學性能測試耗材-其他

    1000A/3500V第三代功率半導體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)認準武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導向,深耕半導體測試領域,在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,先后推出了直流源表,脈沖源表、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設備,廣泛應用于廣泛應用于半導體測試行業(yè); 本功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)可以完成多項參數(shù)測試,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等。詳詢一八一四零六六三四七六;

    靜態(tài)測試系統(tǒng)

    IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)簡介 

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準測量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導體等)的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容 、反向傳輸電容等。

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,模塊化的設計測試方法 靈活,方便用戶添加或升級測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

     

    系統(tǒng)組成

    普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關通訊、測試配件等構成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機,內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件,可根據(jù)測試項目需要,設置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測試主機可與探針臺搭配使用,實現(xiàn)晶圓級芯片測試;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。

    測試主機內(nèi)部采用的電壓、電流測量單元,均采用多量程設計,測試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,可測試低至pA級漏電流;集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型上升時間為15μs,且具備電壓高速同步采樣功能;最高支持3500V電壓輸出,且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,包括輸入電容,輸出電容,以及反向傳輸電容測試,頻率最高支持1MHz。

     

    系統(tǒng)特點

    高電壓:支持高達3.5KV高電壓測試(Z大擴展至10kV);
    大電流:支持高達6KA大電流測試(多模塊并聯(lián));
    高精度:支持uΩ級導通電阻、nA級漏電流測試;
    豐富模板:內(nèi)置豐富的測試模板,方便用戶快速配置測試參數(shù);
    配置導出:支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能;
    數(shù)據(jù)預覽及導出:支持圖形界面以及表格展示測試結果,亦可一鍵導出;
    模塊化設計:內(nèi)部采用模塊化結構設計,可自由配置,方便維護;
    可拓展:支持拓展溫控功能,方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度;
    可定制開發(fā):可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā);

     

    系統(tǒng)參數(shù)

    項目

    參數(shù)

    集電極-發(fā)射極

    Z大電壓

    3500V

    Z大電流

    6000A

    精度

    0.10%

    大電壓上升沿

    典型值5ms

    大電流上升沿

    典型值15us

    大電流脈寬

    50us~500us

    漏電流測試量程

    1nA~100mA

    柵極-發(fā)射極

    Z大電壓

    300V

    Z大電流

    1A(直流)/10A(脈沖)

    精度

    0.05%

    Z小電壓分辨率

    30uV

    Z小電流分辨率

    10pA

    電容測試

    典型精度

    0.5%

    頻率范圍

    10Hz~1MHz

    電容值范圍

    0.01pF~9.9999F

    溫控

    范圍

    25℃~150℃

    精度

    ±1℃

     

     

    測試項目
    集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
    集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
    柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
    輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
    續(xù)流二極管壓降Vf
    I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等

    1000A/3500V第三代功率半導體器件靜態(tài)測試系統(tǒng)測試夾具

    針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體,IGBT、SiC、MOS、GaN等產(chǎn)品,普賽斯提供

    整套測試夾具解決方案,可用于T0單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試。

    測試夾具

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