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高溫氧化爐用于SiC或Si的高溫氧化等工藝由青島精誠(chéng)華旗提供

產(chǎn)品名稱：高溫氧化爐
應(yīng)用領(lǐng)域：用于SiC或Si的高溫氧化等工藝
關(guān) 鍵字：高溫氧化爐、SiC高溫氧化爐、碳化硅高溫氧化爐
產(chǎn)品咨詢電話：4008-110044
產(chǎn)品詳細(xì)描述：

工藝：用于SiC或Si的高溫氧化等工藝
晶圓規(guī)格：2”4”6”SiC/Si晶圓
設(shè)備結(jié)構(gòu)：水平/垂直
工藝溫度：1350/1380℃
爐體溫度：可達(dá)1500℃或更高
生產(chǎn)能力：研發(fā)型/小批量，生產(chǎn)型
設(shè)備特點(diǎn)：
優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 占地面積小
靈活多樣的工藝調(diào)整
半自動(dòng)/全自動(dòng)的選擇
極限真空 1 Pa
壓力控制：如0.8 Bar至1Ba(或其他要求)
多種的裝片方式

極方便的操作、維護(hù)方式
極低維護(hù)使用成本
極高的可靠性

終生的技術(shù)支持！

       青島精誠(chéng)華旗微電子設(shè)備有限公司成立于1993年(青島華旗科技有限公司，2009年)，為專業(yè)的IC集成電路及器件工藝、半導(dǎo)體材料（晶體生長(zhǎng)等）、半導(dǎo)體特氣及廢氣處理、精密真空熱處理爐（磁性材料等，成套）設(shè)備及解決方案的高科技研發(fā)制造企業(yè)。致力于為IC集成電路、功率器件、MEMS器件、LED、太陽(yáng)能電池、新材料等制造廠家及科研院所提供先進(jìn)的工藝設(shè)備（含成套設(shè)備及解決方案）。
  出色地完成了部分國(guó)家863項(xiàng)目（如GaN厚膜晶體生長(zhǎng)的HVPE系統(tǒng)、MOCVD系統(tǒng)等）等。
   GB/T19001-2008(ISO9001:2008)質(zhì)量管理體系認(rèn)證。
    主要產(chǎn)品：氧化擴(kuò)散爐系列、LPCVD 系統(tǒng)、PECVD系統(tǒng)、HVPE系統(tǒng)、MOCVD系統(tǒng)、RTP快速熱處理、氣瓶柜、半導(dǎo)體尾氣（廢）處理SCRUBBER，真空熱處理爐、鏈?zhǔn)綘t系列、擴(kuò)散爐體系列等。

高溫氧化爐用于SiC或Si的高溫氧化等工藝由青島精誠(chéng)華旗提供

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