介質(zhì)的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)設(shè)備工作原理為，在真空壓力下，加在電極板上的射頻電場(chǎng)，使反應(yīng)室氣體發(fā)生輝光放電，在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子。這些電子在電場(chǎng)的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上，并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成介質(zhì)膜，副產(chǎn)物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走。PECVD沉積技術(shù)除了用于制作器件的鈍化膜、增透膜外，它還可以用于制作光電器件擴(kuò)散工藝的阻擋層，以形成所需的PN結(jié)。 等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)技術(shù)是近幾年來極受重視的制備介質(zhì)膜的先進(jìn)工藝技術(shù)。它允許襯底保持在較低溫度(一般在300～450℃)下生長(zhǎng)介質(zhì)薄膜。與熱反應(yīng)相比，它能增強(qiáng)淀積速率獲得均勻組分和特性的介質(zhì)膜。 在許多應(yīng)用中，需要在非常低的襯底溫度下淀積薄膜。在鋁上淀積SiO2和在GaAs（砷化鎵）上淀積Si3N4保護(hù)層是兩個(gè)常見的實(shí)例。為了適應(yīng)較低的襯底溫度，對(duì)于氣體和吸附的分子應(yīng)當(dāng)采用另一種能源。雖然光學(xué)增強(qiáng)淀積在實(shí)驗(yàn)上已被證實(shí)，哪怕是看到在生產(chǎn)上已有限的應(yīng)用，但用于驅(qū)動(dòng)CVD反應(yīng)的主要非熱能源是RF等離子體。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積 (PECVD)系統(tǒng)利用離子轟擊表面，帶來的附加好處是對(duì)次生物質(zhì)(adspecies)提供能量， 使得它們?cè)跊]有高襯底溫度條件下進(jìn)一步沿表面擴(kuò)散。因此，該工藝在填充小幾何結(jié)構(gòu)方面非常好。PECVD主要是用于淀積絕緣層的，只需要考慮RF放電。
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