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    美國ABM正面對準光刻機 怡和瑞豐

    應用于半導體行業(yè)：

    半導體加工設備-光刻設備-UV光刻機

    產(chǎn)品品牌

    怡和瑞豐

    規(guī)格型號：

    ABM/6/350/NUV/DCCD/M

    庫       存：

    100

    產(chǎn)       地：

    美國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥10000.00
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    品牌：怡和瑞豐

    型號：ABM/6/350/NUV/DCCD/M

    所屬系列：半導體加工設備-光刻設備-UV光刻機

    美國ABM正面對準光刻機 怡和瑞豐 設備商城



                            設備型號：ABM/6/350/NUV/DCCD/M


    光學系統(tǒng)：

       曝光時間調(diào)解器：0.1至999.9秒(可調(diào)節(jié)精度0.1s)
       365-400nm光強傳感及電源供應控制電路及反饋閉環(huán)；
       聲控功率警報裝置可防止系統(tǒng)功率超過設定指標；
       有安全保護裝置的溫度及其氣流傳感器；
       全景準直透鏡光線偏差半角: <1.84度；
       波長濾片檢查及安裝裝置
       抗衍射反射功能高效反光鏡；
       二向色的防熱透鏡裝置；
       防汞燈泄漏裝置；
       配備蠅眼棱鏡裝置
       配備近紫外光源，
        --220 nm 輸出強度 – 大約 8-10 mW/ cm2
        --254 nm 輸出強度 – 大約 12-14 mW/ cm2
        --365 nm 輸出強度 – 大約 18-20 mW/ cm2
        --400 nm 輸出強度 – 大約 30-35 mW/ cm2

    主要配置：

           6“，8”光源系統(tǒng) 
       可支持2“，3”，4“，6”，8“（圓/方片）及碎片光刻（支持特殊工藝卡盤設計）
       手動系統(tǒng)，半自動系統(tǒng),
       支持電源350-2000 Watt
       支持深紫外近紫外波長（可選項）
          CCD或顯微鏡對準系統(tǒng)
     


    主要性能指標：

       光強均勻性Beam Uniformity:：
        --<±1% over 2” 區(qū)域
        --<±2% over 4” 區(qū)域
        --<±3% over 6” 區(qū)域
       接觸式樣曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
       接觸式樣曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）：  0.5  um
       支持接近式曝光，特征尺寸CD：
        --0.8um  硬接觸
        --1um    20 um 間距時
        --2um    50um 間距時
       正面對準精度±0.5um
           支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻，特征尺寸：100um-300um
       支持LED優(yōu)異電流控制技術PSS工藝光刻
       支持真空、接近式、接觸式曝光
       支持恒定光強或恒定功率模式

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