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芯片漏電定位手段總結(jié)
芯片漏電是失效分析案例中最常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導(dǎo)等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來(lái)，在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有個(gè)誤區(qū)，認(rèn)為激光誘導(dǎo)手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導(dǎo)（laser scan Microscope).
目前激光誘導(dǎo)功能在業(yè)內(nèi)普遍被采用的有三種方法，這三種方法分別被申請(qǐng)了專#利（日本OBIRCH、美國(guó)TIVA、新加坡VBA）。國(guó)內(nèi)大多數(shù)人認(rèn)為只有OBIRCH才是激光誘導(dǎo)，其實(shí)TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技術(shù)。三種技術(shù)都是利用激光掃描芯片表面的情況下，偵測(cè)出哪個(gè)位置的阻抗有較明顯變化，這個(gè)位置就可能是漏電位置。偵測(cè)阻抗變化就是用電壓和電流來(lái)反映，下面是三個(gè)技術(shù)原理：
1、OBIRCH和TIVA
如上圖是一個(gè)器件的漏電回路，R1代表漏電點(diǎn)的阻抗，I1代表回路電流，V代表回路上的電壓。
OBIRCH；給器件回路加上一個(gè)電壓V，然后讓激光在芯片表面進(jìn)行掃描，同時(shí)監(jiān)測(cè)回路電流I1的變化.
TIVA：給器件回路加上一個(gè)微小電流I1，然后讓激光在芯片表面進(jìn)行掃描，同時(shí)監(jiān)測(cè)回路電壓V的變化.
2、VBA技術(shù)
如上圖是一個(gè)器件的漏電回路，R1代表漏電點(diǎn)的阻抗，I1代表回路電流，V1代表回路上的電壓，R2是串聯(lián)在回路中的一個(gè)負(fù)載，V2是R2兩端的電壓。
OBIRCH；給器件回路加上一個(gè)電壓V1，然后讓激光在芯片表面進(jìn)行掃描，同時(shí)監(jiān)測(cè)V2的變化(V2/R2=I1，其實(shí)也是監(jiān)測(cè)I1的變化），這樣大家可以看出來(lái)了，VBA其實(shí)就是OBIRCH，只是合理回避了NEC專#利。
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