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ICP刻蝕采用側(cè)壁鈍化技術(shù)，沉積與刻蝕交替進(jìn)行，各向異性刻蝕效果好，在精確控制線寬的下能刻蝕出高深寬比形貌。其基本原理是：首先在側(cè)壁上沉積一層聚合物鈍化膜，再將聚合物和硅同時進(jìn)行刻蝕( 定向刻蝕) 。在這個循環(huán)中通過刻蝕和沉積間的平衡控制來得到精確的各向異性刻蝕效果。鈍化和刻蝕交替過程中，C4F8與SF6分別做為鈍化氣體和刻蝕氣體。第一步，通入C4F8氣體，C4F8在等離子狀態(tài)下分解成離子態(tài)CF+x基，CF-x基與活性F- 基，其中CF+x基和CF-x基與硅表面反應(yīng)，形成nCF2 高分子鈍化膜。第二步刻蝕過程,通入SF6氣體，增加F 離子解離，F(xiàn)-與nCF2反應(yīng)刻蝕掉鈍化膜并生成揮發(fā)性氣體CF2，往復(fù)循環(huán)接著進(jìn)行硅基材的刻蝕。
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