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    2英寸碳化硅襯底sic晶片

    應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)：

    半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-碳化硅

    庫       存：

    200

    產(chǎn)       地：

    全國

    數(shù)       量：

    減少 增加

    價       格：

    ￥2200.00
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    品牌：

    型號：

    所屬系列：半導(dǎo)體原材料-晶片—襯底類-碳化硅


    主要產(chǎn)品

    ●6H導(dǎo)電SiC晶片 ●6H半絕緣SiC晶片 ●4H導(dǎo)電SiC晶片 ●4H半絕緣SiC晶片

    碳化硅材料特性 

    ● SiC是繼第一代元素半導(dǎo)體材料(Ge和Si)、第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、InP等)發(fā)展起來的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有大的禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高擊穿電場強度、高熱導(dǎo)率、抗輻射能力強等優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電學(xué)特性，在高溫、高頻率、大功率、抗輻射、不揮發(fā)存儲器件及短波長光電子器件和光電集成等應(yīng)用場合是理想的半導(dǎo)體材料之一，特別是在極端條件和惡劣環(huán)境下應(yīng)用，SiC器件的特性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了Si器件和GaAs器件

     

    碳化硅的主要應(yīng)用領(lǐng)域

    ● 高頻大功率電力電子器件? Schottky diodes 、MOSFET 、JFET 、BJT 、PiN diodes 、IGBT

    ● 光電子器件：主要應(yīng)用于GaN/SiC 藍(lán)光LED的襯底材料（GaN/SiC）LED

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