半導(dǎo)體工藝代加工

發(fā)表于：2019-11-05  作者：gdisit  關(guān)注度：1701

       廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院是直屬于廣東省科學(xué)院的23個骨干科研院所之一，本院主要面向半導(dǎo)體照明創(chuàng)新應(yīng)用、功率電子器件、新型顯示、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域。本院擁有5000平方米的研發(fā)基地（其中超凈實驗室800平方米），擁有MOCVD、真空鍍膜機(jī)等120多臺/套關(guān)鍵設(shè)備，設(shè)備總價值逾1億元。目前已建立材料外延、微納加工、封裝應(yīng)用、分析測試四大科研平臺，是國內(nèi)少數(shù)擁有完整半導(dǎo)體工藝鏈的研究平臺之一，研發(fā)實力雄厚。
      廣東省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院微納加工平臺，擁有半導(dǎo)體器件制備工藝研發(fā)所需的整套儀器設(shè)備，建立了一條實驗室研發(fā)線和一條中試線，加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺面向國內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)和企業(yè)提供全方位的開放服務(wù)，我們將對半導(dǎo)體材料與器件的深入研發(fā)給予全方位支持，為廣大科研單位和企業(yè)提供高品質(zhì)服務(wù)。
                                              
                                                                                實驗室內(nèi)景

                    
   
                                                                部分代工工藝介紹

    1.設(shè)備：光刻機(jī)     

      功能：光刻膠圖形化

                    
                                                            1um線寬光刻

      2.設(shè)備名稱：感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)（ICP）

         用途：刻蝕GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO₂、Si₃N₄等材料
                           
                                                 GaN深刻蝕：各向異性刻蝕

      3.等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）  

        用途：沉積SiO₂、SiN_X薄膜、不含H的SiN_X薄膜、SiNO_x薄膜



      4.設(shè)備名稱：低壓化學(xué)氣相沉積法（LPCVD）

        用途：干氧SiO₂，濕法SiO₂，SiN_x生長，更好的成膜致密性



     5.設(shè)備名稱：ITO電子束蒸發(fā)臺

        用途：蒸發(fā)透明導(dǎo)電薄膜ITO



    6.設(shè)備名稱：金屬電子束蒸發(fā)臺

       用途：蒸發(fā)Ti，Al，Ni，Cr，Pt，Au，Ag、Mo等金屬



    7.設(shè)備名稱：磁控濺射臺

       用途：濺射Ti、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜
               濺射AlN、ITO、SiN、SiO₂、TiO₂、ZnO、IGZO等化合物材料。



    8.設(shè)備名稱：電阻蒸發(fā)臺

用途：In/AuSn/SAC等低熔點金屬薄膜蒸發(fā)


    9.設(shè)備名稱：快速退火爐 

 用途：應(yīng)用于半導(dǎo)體材料、器件、新材料等快速熱處理

  

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