多靶磁控濺射鍍膜機(jī)(PVD) 沈陽金研
1、
設(shè)備用途:本設(shè)備為雙室立式結(jié)構(gòu)的超高真空對靶磁控濺射及離子束濺射鍍膜系統(tǒng)。設(shè)備用于各種金屬薄膜、半導(dǎo)體薄膜、介質(zhì)薄膜、超晶格薄膜、集成光學(xué)薄膜、多層薄膜和薄膜器件的制備。廣泛應(yīng)用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
2.技術(shù)數(shù)據(jù):
極限真空度
(分子泵系統(tǒng)) |
樣品室 |
≤ 2.0×10-1Pa |
漏氣率 |
≦ 5.0×10-8 Pa•L/s |
濺射室 |
≤ 8.0×10-5Pa |
設(shè)備支持的濺射模式 |
直流濺射/射頻濺射;直流及射頻反應(yīng)濺射;單靶濺射/多靶共濺射 |
濺射不均勻性 |
≤±5% |
2.1磁控濺射靶:
標(biāo)準(zhǔn)磁場磁控濺射靶3只
聚焦模式上置安裝,自上向下濺射成膜
每只靶均帶有可自動開閉的擋板
2.2設(shè)備支持的濺射模式包括:
直流濺射/射頻濺射
直流及射頻反應(yīng)濺射
單靶濺射/多靶共濺射
2.3復(fù)合分子泵和離子濺射泵真空系統(tǒng)
2.4美國AE公司射頻電源及自動匹配器
2.5質(zhì)量流量控制器(Ar量程100sccm,O2量程30sccm)
2.6樣品臺自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速5~30rpm范圍內(nèi)可調(diào)
2.7樣品加熱溫度PID控制,自動測溫、控溫,多段控溫模式。
2.8采用PLC+工控機(jī)結(jié)合上位機(jī)軟件對系統(tǒng)進(jìn)行控制。
2.9膜厚儀可選
3.技術(shù)規(guī)格: JS-PVD-1 ;JS-PVD-2